casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H8M36SJ-25 IT:B TR
codice articolo del costruttore | MT49H8M36SJ-25 IT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H8M36SJ-25 IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 288Mb (8M x 36) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H8M36SJ-25 IT:B TR-FT |
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E L:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation