casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H32M9SJ-25:B TR
codice articolo del costruttore | MT49H32M9SJ-25:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H32M9SJ-25:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H32M9SJ-25:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 288Mb (32M x 9) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M9SJ-25:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H32M9SJ-25:B TR-FT |
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-37E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E L:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel