casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H16M18FM-25 IT:B TR
codice articolo del costruttore | MT49H16M18FM-25 IT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H16M18FM-25 IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 288Mb (16M x 18) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-µBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H16M18FM-25 IT:B TR-FT |
MT47H32M16HR-25E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16U67A3WC1
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel