casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H16M18FM-25 IT:B TR
codice articolo del costruttore | MT49H16M18FM-25 IT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H16M18FM-25 IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 288Mb (16M x 18) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-µBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H16M18FM-25 IT:B TR-FT |
MT47H32M16HR-25E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16U67A3WC1
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel