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Micron Technology Inc. MT47R512M4EB-25E:C

Name: MT47R512M4EB-25E:C
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT47R512M4EB-25E:C
Availability: InStock
Rating: 4.9 (112 reviews)

Numero parte MFG: MT47R512M4EB-25E:C

quantità disponibile: 61890 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Micron Technology Inc.

Breve descrizione: - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MT47R512M4EB-25E:C.pdf

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MT47R512M4EB-25E:C specificazioni

codice articolo del costruttore	MT47R512M4EB-25E:C
Numero di parte futuro	FT-MT47R512M4EB-25E:C
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT47R512M4EB-25E:C Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria	2Gb (512M x 4)
Frequenza di clock	400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	15ns
Tempo di accesso	400ps
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.55V ~ 1.9V
temperatura di esercizio	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	60-FBGA (9x11.5)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47R512M4EB-25E:C Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MT47R512M4EB-25E:C-FT

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