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Micron Technology Inc. MT47R256M8EB-25E:C
- Numero parte MFG
- MT47R256M8EB-25E:C
- quantità disponibile
- 41000 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Micron Technology Inc.
- Breve descrizione
- - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Memoria
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- MT47R256M8EB-25E:C.pdf
MT47R256M8EB-25E:C specificazioni
| codice articolo del costruttore | MT47R256M8EB-25E:C |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT47R256M8EB-25E:C |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT47R256M8EB-25E:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 400ps |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.55V ~ 1.9V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 60-FBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (9x11.5) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT47R256M8EB-25E:C Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT47R256M8EB-25E:C-FT |
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