casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47R256M4CF-3:H
codice articolo del costruttore | MT47R256M4CF-3:H |
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Numero di parte futuro | FT-MT47R256M4CF-3:H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47R256M4CF-3:H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.55V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47R256M4CF-3:H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47R256M4CF-3:H-FT |
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16PK-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E XIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-187E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AAT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation