casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H256M8EB-25E XIT:C
codice articolo del costruttore | MT47H256M8EB-25E XIT:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H256M8EB-25E XIT:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H256M8EB-25E XIT:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (9x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-25E XIT:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H256M8EB-25E XIT:C-FT |
MT46H256M32L4JV-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.