casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H128M8SH-25E IT:M

| codice articolo del costruttore | MT47H128M8SH-25E IT:M |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT47H128M8SH-25E IT:M |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT47H128M8SH-25E IT:M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 400ps |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT47H128M8SH-25E IT:M Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT47H128M8SH-25E IT:M-FT |

MT46H16M32LFT67M-N1003
Micron Technology Inc.

MT46H1DAMA-DC
Micron Technology Inc.

MT46H1DBB5-DC
Micron Technology Inc.

MT46H256M32L4JV-5 IT:A
Micron Technology Inc.

MT46H256M32L4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.

MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.

MT46H256M32L4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.

MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT46H256M32L4JV-6 IT:A
Micron Technology Inc.

MT46H256M32L4JV-6 WT:B
Micron Technology Inc.

EP1K30TC144-1N
Intel

LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation

XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.

APA300-PQ208
Microsemi Corporation

ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2C35U484C8N
Intel

A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation

M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation

LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX180HF35I4N
Intel