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Micron Technology Inc. MT47H128M8JN-25E:H

Numero parte MFG
MT47H128M8JN-25E:H
quantità disponibile
79980 pezzi
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fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
- IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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MT47H128M8JN-25E:H specificazioni

codice articolo del costruttore MT47H128M8JN-25E:H
Numero di parte futuro FT-MT47H128M8JN-25E:H
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT47H128M8JN-25E:H Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock 400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 15ns
Tempo di accesso 400ps
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA (8x10)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H128M8JN-25E:H Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MT47H128M8JN-25E:H-FT

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