casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H128M8HQ-3:E TR
codice articolo del costruttore | MT47H128M8HQ-3:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H128M8HQ-3:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H128M8HQ-3:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-FBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8HQ-3:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H128M8HQ-3:E TR-FT |
MT46V16M16BG-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6 L:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6 L:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-75:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-75:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel