casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H128M8CF-25E:M
codice articolo del costruttore | MT47H128M8CF-25E:M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT47H128M8CF-25E:M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H128M8CF-25E:M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8CF-25E:M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H128M8CF-25E:M-FT |
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFCG-6 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFT67M-N1003
Micron Technology Inc.
MT46H1DAMA-DC
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel