casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V64M8CY-5B:J TR
codice articolo del costruttore | MT46V64M8CY-5B:J TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V64M8CY-5B:J TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V64M8CY-5B:J TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V64M8CY-5B:J TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V64M8CY-5B:J TR-FT |
MT47H32M16HW-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-187E:H
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MT47H64M16HR-25 IT:H
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MT47H64M16HR-25:H
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MT47H64M16HR-25:H TR
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MT47H64M16HR-25E AAT:H
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MT47H64M16HR-25E AIT:H
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MT47H64M16HR-25E IT:G
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MT47H64M16HR-25E IT:G TR
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MT47H64M16HR-25E IT:H
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