casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V32M8CY-5B:M TR
codice articolo del costruttore | MT46V32M8CY-5B:M TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V32M8CY-5B:M TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V32M8CY-5B:M TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M8CY-5B:M TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V32M8CY-5B:M TR-FT |
MT47H64M16HR-3 AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 L:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3:H
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel