casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V32M16BN-6:F TR
codice articolo del costruttore | MT46V32M16BN-6:F TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V32M16BN-6:F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V32M16BN-6:F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 167MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.3V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (10x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M16BN-6:F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V32M16BN-6:F TR-FT |
MT47H64M16HR-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E L:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E L:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E XIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E:H
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel