casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V16M16CY-5B XIT:M
codice articolo del costruttore | MT46V16M16CY-5B XIT:M |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V16M16CY-5B XIT:M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V16M16CY-5B XIT:M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V16M16CY-5B XIT:M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V16M16CY-5B XIT:M-FT |
MT47H64M16HR-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel