casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V16M16CY-5B AAT:M TR
codice articolo del costruttore | MT46V16M16CY-5B AAT:M TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V16M16CY-5B AAT:M TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V16M16CY-5B AAT:M TR-FT |
MT47H128M16RT-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-187E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AAT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:F
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel