casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V128M4TG-5B:D TR
codice articolo del costruttore | MT46V128M4TG-5B:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V128M4TG-5B:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V128M4TG-5B:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4TG-5B:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V128M4TG-5B:D TR-FT |
NAND128W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND16GW3D2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F4AN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2CN6E
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel