casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46H128M32L2KQ-6 WT:B
codice articolo del costruttore | MT46H128M32L2KQ-6 WT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT46H128M32L2KQ-6 WT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5.0ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-WFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-WFBGA (12x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46H128M32L2KQ-6 WT:B-FT |
MT28EW01GABA1LPC-1SIT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR
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MT28EW128ABA1HPC-1SIT
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MT28EW256ABA1HPC-1SIT
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