casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT45W4MW16BFB-706 WT TR
codice articolo del costruttore | MT45W4MW16BFB-706 WT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT45W4MW16BFB-706 WT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W4MW16BFB-706 WT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-VFBGA (6x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-706 WT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT45W4MW16BFB-706 WT TR-FT |
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP-M:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWPR:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel