casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT45W2MW16BAFB-706 WT
codice articolo del costruttore | MT45W2MW16BAFB-706 WT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT45W2MW16BAFB-706 WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W2MW16BAFB-706 WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-VFBGA (6x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W2MW16BAFB-706 WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT45W2MW16BAFB-706 WT-FT |
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWPR:D
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation