casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT45W2MW16BAFB-706 WT
codice articolo del costruttore | MT45W2MW16BAFB-706 WT |
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Numero di parte futuro | FT-MT45W2MW16BAFB-706 WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W2MW16BAFB-706 WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-VFBGA (6x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W2MW16BAFB-706 WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT45W2MW16BAFB-706 WT-FT |
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWPR:D
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel