casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT45W1MW16BAFB-708 WT
codice articolo del costruttore | MT45W1MW16BAFB-708 WT |
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Numero di parte futuro | FT-MT45W1MW16BAFB-708 WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W1MW16BAFB-708 WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-VFBGA (6x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W1MW16BAFB-708 WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT45W1MW16BAFB-708 WT-FT |
JS28F320C3TD70
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel