casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K512M8V00HWC1
codice articolo del costruttore | MT41K512M8V00HWC1 |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K512M8V00HWC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8V00HWC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8V00HWC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K512M8V00HWC1-FT |
MT29F64G08CBABAL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWPR:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel