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MT41K512M8V00HWC1 Image

Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1

Numero parte MFG
MT41K512M8V00HWC1
quantità disponibile
47080 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 8.944
Il nostro prezzo
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Data di spedizione
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fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
- IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
MT41K512M8V00HWC1.pdf
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MT41K512M8V00HWC1 specificazioni

codice articolo del costruttore MT41K512M8V00HWC1
Numero di parte futuro FT-MT41K512M8V00HWC1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT41K512M8V00HWC1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.283V ~ 1.45V
temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT41K512M8V00HWC1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MT41K512M8V00HWC1-FT

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