casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K512M8RH-125:E
codice articolo del costruttore | MT41K512M8RH-125:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K512M8RH-125:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8RH-125:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 13.75ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K512M8RH-125:E-FT |
M29W800DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECB70ZB6T TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECT70ZB6T TR
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320HSB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320HST70ZB6E
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel