casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K512M8RH-125:E TR
codice articolo del costruttore | MT41K512M8RH-125:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K512M8RH-125:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8RH-125:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 13.75ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K512M8RH-125:E TR-FT |
M29W800DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECB70ZB6T TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECT70ZB6T TR
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320HSB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320HST70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320HSU70ZB6E
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel