casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K512M8RH-107:E TR
codice articolo del costruttore | MT41K512M8RH-107:E TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT41K512M8RH-107:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8RH-107:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-107:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K512M8RH-107:E TR-FT |
MT41J64M16LA-187E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 V:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41K128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8JP-15E:G
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel