casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K512M8RG-107:N
codice articolo del costruttore | MT41K512M8RG-107:N |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K512M8RG-107:N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8RG-107:N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (7.5x10.6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RG-107:N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K512M8RG-107:N-FT |
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-187E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-15E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-187E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 V:K
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel