casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K512M16HA-107 IT:A TR
codice articolo del costruttore | MT41K512M16HA-107 IT:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K512M16HA-107 IT:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M16HA-107 IT:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (14x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M16HA-107 IT:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K512M16HA-107 IT:A TR-FT |
TE28F640P33T85A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0TB00A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0VB00A
Micron Technology Inc.
M25P16-VMC6G
Micron Technology Inc.
M25P16-VMC6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMC6GB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMC6TGB TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMC6G
Micron Technology Inc.
M25P80-VMC6TG TR
Micron Technology Inc.
M29W640FB70N6E
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel