casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K2G8KJR-125:A TR
codice articolo del costruttore | MT41K2G8KJR-125:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K2G8KJR-125:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K2G8KJR-125:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 16Gb (2G x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 13.5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K2G8KJR-125:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K2G8KJR-125:A TR-FT |
MT41J256M8JE-15E:A
Micron Technology Inc.
MT41J256M8JE-187E:A
Micron Technology Inc.
MT41J512M4HX-125:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M4HX-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M4HX-187E:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M4JE-15E:A
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RA-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RH-093:E
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RH-093:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RH-107:E
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel