casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K2G8KJR-125:A TR
codice articolo del costruttore | MT41K2G8KJR-125:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K2G8KJR-125:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K2G8KJR-125:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 16Gb (2G x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 13.5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K2G8KJR-125:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K2G8KJR-125:A TR-FT |
MT41J256M8JE-15E:A
Micron Technology Inc.
MT41J256M8JE-187E:A
Micron Technology Inc.
MT41J512M4HX-125:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M4HX-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M4HX-187E:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M4JE-15E:A
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RA-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RH-093:E
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RH-093:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J512M8RH-107:E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel