casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
codice articolo del costruttore | MT40A512M8RH-083E AUT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M8RH-083E AUT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M8RH-083E AUT:B TR-FT |
MT35XL256ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA1GSF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2GSF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL512ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL512ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP3SE50F780C4
Intel