casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M16LY-062E IT:E
codice articolo del costruttore | MT40A512M16LY-062E IT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M16LY-062E IT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16LY-062E IT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16LY-062E IT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M16LY-062E IT:E-FT |
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel