casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M16JY-083E AIT:B
codice articolo del costruttore | MT40A512M16JY-083E AIT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M16JY-083E AIT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16JY-083E AIT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16JY-083E AIT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M16JY-083E AIT:B-FT |
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel