casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M16JY-062E IT:B
codice articolo del costruttore | MT40A512M16JY-062E IT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M16JY-062E IT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16JY-062E IT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16JY-062E IT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M16JY-062E IT:B-FT |
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel