casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M16JY-062E IT:B TR
codice articolo del costruttore | MT40A512M16JY-062E IT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M16JY-062E IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16JY-062E IT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16JY-062E IT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M16JY-062E IT:B TR-FT |
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel