casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M16HA-083E IT:A
codice articolo del costruttore | MT40A512M16HA-083E IT:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M16HA-083E IT:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16HA-083E IT:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16HA-083E IT:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M16HA-083E IT:A-FT |
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel