casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A4G4NRE-075E:B TR
codice articolo del costruttore | MT40A4G4NRE-075E:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A4G4NRE-075E:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A4G4NRE-075E:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (4G x 4) |
Frequenza di clock | 1.33GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A4G4NRE-075E:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A4G4NRE-075E:B TR-FT |
M25PX80-VMP6TG0M TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0U TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0X TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0Y TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGAA TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGAD TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGT0 TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGY0 TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q256A13EF840F
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel