casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A4G4FSE-083E:A TR
codice articolo del costruttore | MT40A4G4FSE-083E:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A4G4FSE-083E:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A4G4FSE-083E:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (4G x 4) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A4G4FSE-083E:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A4G4FSE-083E:A TR-FT |
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel