casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A2G8FSE-083E:A
codice articolo del costruttore | MT40A2G8FSE-083E:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A2G8FSE-083E:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A2G8FSE-083E:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (2G x 8) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G8FSE-083E:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A2G8FSE-083E:A-FT |
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel