casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A2G4WE-075E:D TR
codice articolo del costruttore | MT40A2G4WE-075E:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A2G4WE-075E:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A2G4WE-075E:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (2G x 4) |
Frequenza di clock | 1.33GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G4WE-075E:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A2G4WE-075E:D TR-FT |
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR
Micron Technology Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel