casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A256M16GE-075E AIT:B
codice articolo del costruttore | MT40A256M16GE-075E AIT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A256M16GE-075E AIT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A256M16GE-075E AIT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 1.33GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-075E AIT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A256M16GE-075E AIT:B-FT |
TE28F256J3D95B TR
Micron Technology Inc.
TE28F256J3F105A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P30T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel