casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A256M16GE-062E IT:B TR
codice articolo del costruttore | MT40A256M16GE-062E IT:B TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT40A256M16GE-062E IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A256M16GE-062E IT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (14x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-062E IT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A256M16GE-062E IT:B TR-FT |
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
TE28F640P30B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P30T85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33T85A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0TB00A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0VB00A
Micron Technology Inc.
M25P16-VMC6G
Micron Technology Inc.
M25P16-VMC6TG TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel