casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A256M16GE-062E:B
codice articolo del costruttore | MT40A256M16GE-062E:B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT40A256M16GE-062E:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A256M16GE-062E:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (14x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-062E:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A256M16GE-062E:B-FT |
TE28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
TE28F640P30B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P30T85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33T85A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0TB00A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0VB00A
Micron Technology Inc.
M25P16-VMC6G
Micron Technology Inc.
M25P16-VMC6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMC6GB
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel