casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A1G8WE-083E:B TR
codice articolo del costruttore | MT40A1G8WE-083E:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A1G8WE-083E:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G8WE-083E:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8WE-083E:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A1G8WE-083E:B TR-FT |
M25PX80-VMP6TG0C TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0M TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0U TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0X TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0Y TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGAA TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGAD TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGT0 TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGY0 TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A13EF840E
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel