casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A1G4RH-075E:B
codice articolo del costruttore | MT40A1G4RH-075E:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A1G4RH-075E:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G4RH-075E:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (1G x 4) |
Frequenza di clock | 1.33GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G4RH-075E:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A1G4RH-075E:B-FT |
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A
Micron Technology Inc.
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR
Micron Technology Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel