casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U
codice articolo del costruttore | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U |
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Numero di parte futuro | FT-MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.8V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U-FT |
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC2
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel