casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
codice articolo del costruttore | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.8V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR-FT |
MTFC16GAPALBH-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GBAOANAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GBAOANAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC32GAKAEDQ-AAT
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel