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Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
- Numero parte MFG
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
- quantità disponibile
- 37580 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Micron Technology Inc.
- Breve descrizione
- - IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Memoria
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR.pdf
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR specificazioni
| codice articolo del costruttore | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.8V |
| temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR-FT |
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