casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR
codice articolo del costruttore | MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.8V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR-FT |
MTFC16GAKAEJP-AIT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEJP-AIT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GAPALBH-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAPALBH-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel