casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
codice articolo del costruttore | MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR-FT |
W948D6FBHX6E TR
Winbond Electronics
W949D6DBHX5E
Winbond Electronics
W949D6DBHX5E TR
Winbond Electronics
W949D6DBHX5I TR
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5E
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5E TR
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5I TR
Winbond Electronics
MT46H32M16LFCK-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFCK-6 TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation