casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-VBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR-FT |
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation