casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E
codice articolo del costruttore | MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (10.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E-FT |
MT41K128M16JT-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P
Micron Technology Inc.
MT40A1G16WBU-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel